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- 330105000075024
- 91330105682939401U
- 存续
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2009-02-11
- 袁松
- 310万人民币
- 2009-02-11 至 永久
- 杭州市拱墅区市场监督管理局
- 拱墅区祥园路38号1幢5楼545室
- 刀具、纳米材料的技术开发、成果转让；刀具的销售。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102945909B | 一种全空间白光LED器件 | 2015.05.20 | 本发明公开的全空间白光LED器件包括石英衬底，在石英衬底的一面有荧光粉胶，石英衬底的另一面有立方氮化 |
| 2 | CN202948978U | 一种立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件 | 2013.05.22 | 本实用新型公开的立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件，包括衬底，在衬底上生长有立方氮化硼薄膜， |
| 3 | CN202948968U | 一种白光LED器件 | 2013.05.22 | 本实用新型公开的白光LED器件包括石英衬底，在石英衬底的一面有荧光粉胶，石英衬底的另一面有立方氮化硼 |
| 4 | CN102945909A | 一种全空间白光LED器件 | 2013.02.27 | 本发明公开的全空间白光LED器件包括石英衬底，在石英衬底的一面有荧光粉胶，石英衬底的另一面有立方氮化 |
| 5 | CN102931333A | 立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件 | 2013.02.13 | 本发明公开的立方氮化硼薄膜促进芯片散热的白光LED器件，包括衬底，在衬底上生长有立方氮化硼薄膜，立方 |
| 6 | CN101565822B | 纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法 | 2011.08.24 | 本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法，把立方氮化硼薄膜放入加热室中，加热室先 |
| 7 | CN101565822A | 纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法 | 2009.10.28 | 本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法，把立方氮化硼薄膜放入加热室中，加热室先 |
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